电子元器件暗电流半导体暗电流东元变频器

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1、CMOS图像传感器,CMOS图像传感器是什么意思。CMOS图像传感器,CMOS图像传感器是什么意思CMOS图像传感器和CCD传感器，工作原理类似。1.3来说明，CMOS图像传感器并不像CCD那样把。CMOS图像传感器性能杂谈。参照CCD的动态范围,其数值是输出端的信号峰值电压与均方根噪声电压之比,通常用DB表示。

2、灵敏度图像传感器对入射光功率的响应能力被称为响应度。对于CMOS图像传感器来说,通常采用电流。CCD和CMOS传感器：论两大最常见图像传感器的异同。CCD传感器于1969年由贝尔实验室研制成功，伴随其高量子效率、高灵敏度、低暗电流、高一致性、低噪音的特性，一度成为图像传感器市场的主导。和CCD传感器相比，CMOS图像传感器具有低功耗、低操作电压、低价格等优势，但是在CMOS图像传感器出现初期由于相对较差的性能和较大的像元尺寸，并没有得到很好的市场。

电子元器件暗电流相关拓展

半导体暗电流

一种测量半导体探测器暗电流的方法。本发明涉及一种测量方法，尤其是一种测量半导体探测器暗电流的方法。目前的半导体探测器，如背光探测器是把光信号转变为电信号的半导体芯片，通常它被固定在激光器背面之后的热沉之上，用来探测激光器的背向光，为激光器的自动功率控制提供监视背光电流。光探测器主要有PIN光电二极管和雪崩二极管，而背光探侧器主要采用PIN光电二极管，其由P型和N型半导体组成，它们中间掺杂了微量的本征半导体材料，也称耗尽层。

在N型半导体中，主要的载流子是电子，而在P型半导体中，主要的载流子是空穴，由于电荷的移动，耗尽层两侧就堆积了电荷，在内部形成一个由N区指向P区的自建电场，阻止空穴的继续扩散。如果这时有入射光照射到PN结的耗尽层，就会使其中的电子吸收光子能量，跃迁到导带中，形成可以导电的电子空穴对。

暗电流最小的器件

本文就将介绍光电探测器暗电流形成及其稳定性分析,并介绍了一些提高稳定性的方案,讨论它们的优势与存在的问题。光电检测就是将检测的物理信息用光辐射信号承载,检测光信号的变化,通过信号处理变换,得到检测信息。光学检测主要应用在高分辨率测量、非破坏性分析、高速检测、精密分析等领域,在非接触式、非破坏、高速、精密检测方面具有其她方法无比拟的。

光电检测技术就是现代检测技术最重要的手段与方法之一,就是计量检测技术的一个重要发展方向。1PIN光探测器的工作原理。在PD的PN结间加入一层本征(或轻掺杂)半导体材料(I区),就可增大耗尽区的宽度,减小扩散作用的影响,提高响应速度。由于I区的材料近似为本征半导体,因此这种结构称为PIN光探测器。

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